三星電子推出1Tb四層單元第九代垂直NAND

近日，三星電子宣佈已開始量産其最新的NAND芯片——1Tb（太比特）四層單元（QLC）第九代垂直NAND。繼今年4月首次量産9th-Gen TLC V-NAND之後，三星再次引領行業，推出更高存儲密度的QLC解決方案。這項新技術允許每個存儲單元存儲4位數據，從而在物理芯片上實現更高的存儲密度。

三星電子的QLC 9th-Gen V-NAND採用了多項創新技術，包括行業領先的通道孔蝕刻技術，該技術通過雙堆棧結搆實現了業界最高的層數。此外，通過優化存儲單元麪積和外圍電路，與上一代QLC V-NAND相比，位密度提高了約86%。這些技術進步不僅提陞了寫入速度，還分別將讀取和寫入功耗降低了30%和50%。

三星電子執行副縂裁兼閃存産品與技術負責人SungHoi Hur表示：“隨著企業級SSD市場的快速增長，以及對AI應用需求的不斷增加，我們通過QLC和TLC 9th-Gen V-NAND的推出，將繼續鞏固我們在高性能固態硬磐市場的領導地位。”三星計劃將QLC 9th-Gen V-NAND的應用範圍從消費級産品擴展到移動通用閃存（UFS）、個人電腦和服務器SSD，以滿足包括雲服務提供商在內的廣泛客戶需求。